Hersteller Produktnummer:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM210N06CZ C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12894250
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TSM210N06CZ C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7900 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP220N06T3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
20
TEILNUMMER
IXFP220N06T3-DG
Einheitspreis
3.54
ERSATZART
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